11月26日（木） AndTech　WEBオンライン「半導体製造プロセスにおけるイオン注入・アニール技術の基礎と最新動向」Zoomセミナー講座を開講予定

この記事はプレスリリースです

本記事は、PR TIMESに掲載された企業・団体等のプレスリリースを原文のまま転載しています。記事内容は発表時点の情報です。

発表元

株式会社ＡｎｄＴｅｃｈ

原文

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配信日時

2026年10月6日 10時43分

転載日

2026年10月7日

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サクセスインターナショナル株式会社　鈴木　俊治 氏にご講演をいただきます。

株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山　正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今高まりを見せる半導体製造プロセス　イオン注入・アニール技術での課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師からなる「半導体製造プロセス　イオン注入・アニール技術」講座を開講いたします。

MOSトランジスタの微細化・高性能化と不純物領域形成の関係を押さえ、FinFETやGAA／ナノシート構造に対応するイオン注入技術まで解説！

本講座は、2026年11月26日開講を予定いたします。 

詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1f19b73b-d89d-6450-8db0-064fb9a95405

Live配信・WEBセミナー講習会　概要

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テーマ：半導体製造プロセスにおけるイオン注入・アニール技術の基礎と最新動向

～CMOS微細化・ドーパント活性化・化合物半導体へのイオン注入・イオン注入で必要となる解析技術～ 

開催日時：2026年11月26日（木） 10:00-17:00 

参 加 費：60,500円（税込） ※ 電子にて資料配布予定

U　R　L ：https://andtech.co.jp/seminars/1f19b73b-d89d-6450-8db0-064fb9a95405

WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）

セミナー講習会内容構成

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　ープログラム・講師ー

サクセスインターナショナル株式会社　技術顧問 鈴木　俊治 氏

本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題

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・MOS IC作製のためのイオン注入技術の詳細と課題。

・微細CMOSのイオン注入技術に対する要求

・イオン注入により破壊された結晶を回復させるアニールの手法

・アニールによる結晶回復に関する知識

・MOS IC以外のデバイスへのイオン注入技術の適用

本セミナーの受講形式

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　WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。

　詳細は、お申し込み後お伝えいたします。

株式会社AndTechについて

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　化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、

　幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。

　弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」

　「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。

　クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。

　　https://andtech.co.jp/

株式会社AndTech　技術講習会一覧

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一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。

https://andtech.co.jp/seminars/search

株式会社AndTech　書籍一覧

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選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。

https://andtech.co.jp/books

株式会社AndTech　コンサルティングサービス

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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。

https://andtech.co.jp/business-consulting

本件に関するお問い合わせ

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株式会社AndTech　広報PR担当 青木

メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）

下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）

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【講演主旨】

　半導体デバイスへの不純物導入はそのデバイスの機能・性能を左右する極めて重要な技術である。MOS ICは微細化することによりその性能、集積度を高められる。特に、先端の微細化されたMOS LSIでは複雑な不純物領域を持つ構造となっており、それには、精度の高い不純物層形成が重要である。

  本セミナーでは、不純物のイオン注入と、その不純物を活性化させるためのアニール技術について、MOS ICの微細化との関連を中心として解説する。イオン注入技術ではその原理と装置の構造、およびMOS ICの微細化に対応する、精度の高い不純物層形成のためのイオン注入技術の課題とその対策を示す。アニール技術ではMOS ICの微細化に対応するアニールの手法、イオン注入によって導入されるSi結晶欠陥のアニールによる回復の過程を解説する。MOS IC以外のデバイス作製のためのイオン注入技術についても簡単に紹介する。

【プログラム】

1．CMOS ICの微細化

　1.1　MOSトランジスタの微細化とその構造変化に対応するイオン注入技術

　1.2　MOS ICの高性能化、高機能化、高集積化と特性最適化のための構造とイオン注入技術

　 　　　・チャネル注入、デゥアルゲート構造、LDD構造、Deep Well構造

　1.3　MOS IC高信頼化のための構造とイオン注入技術

　 　　　・LDD構造、Twin Well構造、Deep Well構造

　1.4　微細化に伴う課題克服のための構造とイオン注入技術（主に短チャネル効果とその対策）

　 　　　・浅いソースドレイン、パンチスルーストッパー、エクステンション構造

　 　　　・ハロー（ポケット）構造、Retrogradeチャネル構造

　 　　　・短チャネル効果を回避するトランジスタ構造（FinFET、Nanosheet Tr）

2．イオン注入技術

　2.1　イオン注入の原理と装置構造

　 　　　・高電流注入装置、中電流注入装置、高エネルギー注入装置、プラズマドープ装置

　2.2　CMOS ICでのイオン注入の適用

　 　　　・イオン注入領域と注入装置の種類

　 　　　・イオン注入領域と注入条件

　2.3　イオン注入に伴う問題と対策

　 　　　・イオンビーム精度、チャネリング、チャージアップ、ビームBrow up、金属汚染、

　 　　　・注入損傷

3．アニール技術

　3.1　アニール手法

　 　　　・電気炉アニール

　 　　　・高温短時間アニール(Rapid Thermal Anneal : RTA)

　 　　　・フラッシュランプアニール

　 　　　・レーザーアニール

　3.2　注入不純物の活性化過程

　3.3　結晶の回復と2次欠陥の生成、展開

　3.4　光アニール技術の課題

4．その他のイオン注入技術とアニール技術

　4.1　CMOSイメージセンサー、パワーデバイス

　4.2　Ⅲ‐Ⅴ属化合物半導体デバイス、SiCデバイス

5．イオン注入に関連する解析技術

　5.1　イオン注入量モニター

　5.2　不純物濃度分布解析

　5.3　キャリアの濃度分布解析

　5.4　結晶性解析

　5.5　汚染物質解析

【質疑応答】

【キーワード】

MOS IC, 微細化、高性能化、高集積化、短チャネリング効果、ヂュアルゲート、LDD、パンチスルーストップ、エクステンション、ポケット注入、ハロー、ウェル、レトログレードチャネル、イオン注入、イオンビーム精度、チャネリング、チャージアップ、ビームBrow up、金属汚染、注入損傷、活性化アニール、Furnaceアニール、RTA(Rapid Thermal Anneal)、Flash Lampアニール、レーザーアニール、結晶性回復、遷移増速拡散、化合物半導体、GaSa、SiC、FinFET、 Nanosheet Tr、GAA、解析技術、Dose Monitor、SIMS(2次イオン質量分析）、RBS(Rutherford Back Scattering)

【講演のポイント】

　現在、AI (Artificial Intelligence) が世界を騒がせている。このAIは膨大なMemory のデータとLogic LSIによるDeep Learningにより達成されている。そして、これらはMOS Trによって構成されており。そのMOS Trとそれを集積したCMOS ICでは微細化してゆく事により、その性能、集積度が高められる。微細化のためにはLithography技術と共に不純物を導入する技術が極めて重要となっている。

　不純物領域をどのように形成するかによって、そのデバイスの機能はもとより、その性能が決定される。CMOS ICを微細化してゆく際には短チャネル効果などの課題が出現するがそれの対策として次第にMOS Trの構造が複雑になり、そのためにIon注入技術に多くの要求がもたらされた、Ion注入技術を発展させることによりその課題を解決してきた。

　この講義では、MOS Trの高性能化と微細化に伴う課題とそのためのIon注入技術と注入Ionの活性化のための熱処理(アニール)技術の発展を説明する。

また。GaAs, SiCなどのデバイス作製ためのIon注入技術についても触れ、更にIon注入技術にとって重要となる解析技術についても説明する。

　近年ではTrを立体形状にすることにより、短チャネル効果を回避するようになってきているが、FinFET, GAA Trなどの作製の際のIon注入技術についても触れる。

　この講義は、Ion注入技術を全体として理解するのに適切であると考えている。

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＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。

以　上