11月25日(水) AndTech「High-NA時代のEUVレジスト材料・プロセス技術と次世代リソグラフィ最新技術」WEBオンラインZoomセミナーを開催予定

Eリソリサーチ　遠藤 政孝 氏、鴨志田技術事務所　 鴨志田 洋一 氏、量子科学技術研究開発機構　山本 洋揮 氏の３名にご講演をいただきます。

　株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山　正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、EUV／High‑NAの第一人者の講師からなる「High-NA時代のEUVレジスト材料・プロセス技術と次世代リソグラフィ最新技術」講座を開講いたします。

　先端半導体では、EUV／High‑NAを中心とした微細化が進み、PFASフリーレジストやEUVメタル・ドライレジスト、さらに先端パッケージで重要となるRDL形成など材料・プロセス革新が不可欠となっている。本講演では、リソグラフィ技術の原理・最新動向・課題、産業界の対応、次世代技術の展望、レジスト材料・プロセスの市場動向まで解説します。

本講座は、2026年11月25日開講を予定しております。

詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1f1c14fd-9025-6d5e-a469-064fb9a95405

• Live配信・WEBセミナー講習会　概要

テーマ：High-NA時代のEUVレジスト材料・プロセス技術と次世代リソグラフィ最新技術

開催日時：2026年11月25日(水)13:00-17:05                   

参 加 費：60,500円（税込） ※ 電子にて資料配布予定

U　R　L ：https://andtech.co.jp/seminars/1f1c14fd-9025-6d5e-a469-064fb9a95405

WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）

• セミナー講習会内容構成

　ープログラム・講師ー

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第1部　先端半導体プロセスで求められるレジスト材料、レジストプロセス技術の現状と今後の展開

講師：Eリソリサーチ　代表 

　　　　遠藤　政孝　氏

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第2部　High-NA EUVLポスト2nm世代に向けた次世代レジスト技術

講師：鴨志田技術事務所　代表（元JSR(株)／神奈川大学）、フォトポリマー懇話会顧問

　　　高分子学会フェロー

　　　　鴨志田　洋一　氏

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第3部　High-NA時代のEUV・次世代リソグラフィ 

　　　　～レジスト材料・EB・EUV・自己組織化技術の最前線～

講師：量子科学技術研究開発機構　高崎量子技術基盤研究所　先端機能材料研究部

　　　プロジェクトリーダー（上席研究員）　

　　　　山本　洋揮　氏

• 本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題

　・フォトレジスト材料の役割と進化の必然性 

　・EUVリソグラフィの技術的特徴と実用化の必然性

　・ポスト2nmロジックノードを睨んだEUVレジストの課題 

　・CARおよびMORなどHigh-NA EUV世代に向けたレジスト技術の動向及び産業界の対応 

　・PFASフリーレジスト、EUVメタルドライレジストプロセス、再配線層形成プロセスの今後の展開

• 本セミナーの受講形式

　WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。

　詳細は、お申し込み後お伝えいたします。

• 株式会社AndTechについて

　化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。

　弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。

　クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。

　　https://andtech.co.jp/

• 株式会社AndTech　技術講習会一覧

一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。

https://andtech.co.jp/seminars/search

• 株式会社AndTech　書籍一覧

選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。

https://andtech.co.jp/books

• 株式会社AndTech　コンサルティングサービス

経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。

https://andtech.co.jp/business-consulting

• 本件に関するお問い合わせ

株式会社AndTech　広報PR担当 青木

メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）

• 下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）

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第1部　先端半導体プロセスで求められるレジスト材料、レジストプロセス技術の現状と今後の展開

【講演主旨】

　先端半導体プロセスではリソグラフィ、先端パッケージ技術におけるレジスト材料、レジストプロセスの進展が必須となっている。本講演では、最新のロードマップを紹介した後、リソグラフィの最近のトピックスであるPFASフリーレジスト、EUVメタルドライレジストプロセス、先端パッケージ技術で微細化が求められるチップ間の接続に必要な再配線層（RDL）形成プロセスについて、現状と課題の詳細を解説し、今後の展開を述べる。最後にレジスト材料、レジストプロセスの技術展望、市場動向についてまとめる。

【プログラム】

　1．ロードマップ
　　1.1 半導体のトレンド
　　1.2 リソグラフィのロードマップ
　　1.3 パッケージのロードマップ

　2．PFASフリーレジスト
　　2.1 リソグラフィにおけるPFAS材料
　　2.2 PFASフリーArF液浸レジスト
　　　2.2.1　PFASフリーArF液浸レジストの特徴と材料
　　　2.2.3　PFASフリーArF液浸レジストの性能

　3．EUVメタルドライレジストプロセス
　　3.1 EUVメタルドライレジストプロセスの特徴、材料と反応機構
　　3.2 EUVメタルドライレジストプロセスの性能

　4.微細再配線層（RDL）形成プロセス
　　4.1再配線層のロードマップ
　　4.2 SAP方式
　　4.3 ダマシンCMP方式
　　　4.3.1　ダマシンCMP用パターン形成方法
　　　4.3.2　有機絶縁膜材料の必要特性

　5. レジスト材料、レジストプロセスの技術展望、市場動向

　質疑応答

【講演の最大のPRポイント】

　レジスト材料、レジストプロセス技術の最新技術動向を把握できます。最新のロードマップにおける位置づけ、ビジネス動向を確認できます。

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第2部　High-NA EUVLポスト2nm世代に向けた次世代レジスト技術

【講演主旨】

　マイクロエレクトロニクス(ME)は現代社会の基盤技術であり、スマートフォン、コンピューター、自動車、医療機器など、あらゆる先進的な製品に不可欠である。情報時代を牽引し、経済成長とイノベーション創出の加速に寄与している。
　AI特需に顕著にみられるように、半導体デバイスの高速化、大容量化への要求はとどまるところを知らない。これを支えているのがリソグラフィ技術の進化であり、現在最先端の2nmロジックノードの量産プロセスにはEUVリソグラフィが採用されている。その中核をEUVレジストが担っており、さらなる微細化を実現するため、解像度/感度/ラフネスのトレードオフの壁を乗り越える努力をしている。さらに、ポスト2nmノード技術の救世主として注目されているのが、High-NA EUVリソグラフィプロセスである。
　本講演では、フォトレジストの進化を歴史的に俯瞰するとともに、EUVリソグラフィの概要を解説し、EUVレジストの基礎と要求特性、課題と対策について纏め、High-NA EUVリソグラフィプロセスに向けたレジストの最新技術動向を解説する。特に注目されているEUVメタルレジスト、EUVドライレジストプロセスについても述べ、今後のEUVレジストの技術展望について、デバイスメーカー、レジストメーカー等の産業界の対応も含めて纏める。

【プログラム】

　１．リソグラフィ技術の進化
　　1-1　マイクロエレクトロニクス(ME)と社会～AI技術の展開～
　　1-2　ＭＥの黎明期とフォトレジスト
　　1-3　フォトレジスト技術の変遷
　　1-4　リソグラフィ技術の進化の原動力

　２．High-NA EUVリソグラフィの必然性
　　2-1　デバイスの大容量化、高速化のトレンド
　　2-2　リソグラフィ技術への要求

　３． High-NA EUVリソグラフィへの道
　　3-1　EUVリソグラフィの概要
　　　(1) 反射光学系システムの開発
　　　(2) EUVレジストの開発
　　　　  化学増幅型レジスト(CAR)、無機レジスト(MOR)　
　　3-2　レジスト開発現状と課題／LERの要因と対応
　　3-3　無機レジスト(MOR)　
　　　　  感度・解像度／保存安定性　
　　3-4　EUVLの課題
　　　　  光源／露光装置／マスク／レジスト／評価装置

　４．High-NA EUVリソグラフィへの選択肢
　　4-1　デバイスメーカーの対応
　　4-2　レジストメーカーの対応

　５．課題と今後の展望
　　5-1　フォトレジストの高解像度化と現像プロセス
　　　　  現像過程での膨潤と解像度
　　5-2　今後のパターン形成プロセス
　　5-3　デバイスの進化
　　5-4　 PFASフリー 

　６．まとめ

　質疑応答

【講演の最大のPRポイント】

　現代社会におけるマイクロエレクトロニクスの果たす役割の重要性を理解するとともに、フォトレジストの進化がどのような必然性をもって実現されてきたのか知ることができる。EUVリソグラフィの現状と課題、さらなる高集積化に向けてHigh-NA EUV世代への技術動向、産業界の対応を知り、将来進むべき方向を模索する一助となる。

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第3部　High-NA時代のEUV・次世代リソグラフィ 

　　　　～レジスト材料・EB・EUV・自己組織化技術の最前線～

【講演主旨】

　コンピュータ性能の更なる向上が要求されている半導体分野において、EUVリソグラフィが実現された。半導体微細加工技術であるEUVリソグラフィは、今後デジタル社会の構築において3次元微細加工技術と並んで極めて重要である。今後も更なる微細加工技術が要求されており、High-NAEUVリソグラフィなどをはじめ、次世代リソグラフィ技術が検討されている。
　本セミナーでは、EUVリソグラフィ技術を中心に、近年活発に研究開発がなされている次世代リソグラフィ技術におけるそれぞれの原理、技術動向、他のリソグラフィ技術と比較した際の優位点をはじめ、実用化・普及の可能性、その微細加工材料などに関する最新動向について概説するとともに、我々の最新の成果を解説する。

【プログラム】

1．はじめに
　　1.1 リソグラフィ工程とリソグラフィ技術の変遷
　　1.2 EUVリソグラフィの現状と課題
　　1.3 EUVリソグラフィレジスト評価システム

　2．EUV/EBレジストの反応機構
　　2.1 次世代リソグラフィ用レジスト材料の要求特性
　　2.2 ＥＵＶ/EB化学増幅型レジストの問題点
　　2.3 EUV/EBリソグラフィ用化学増幅型レジストの反応機構
　　2.4 EUV/EBレジスト材料の反応機構に基づいた高性能化

　3．メタルレジスト材料の性能評価
　　3.1 EUVリソグラフィ用メタルレジストの概要
　　3.2 放射線による金属ナノ粒子の形成メカニズムに基づいた有機無機ハイブリッドパターン形成
　　3.3メタル化合物の添加によるEUVレジストの高感度化
　　3.4 メタルレジスト材料の性能評価

　４．ブロック共重合体を用いた自己組織化リソグラフィ技術の基礎と動向
　　4.1 ブロック共重合体の基礎
　　4.2 新規ブロック共重合体の合成と評価

　５．今後の課題

　質疑応答

＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。

＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。

以　上