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- 発表元
- i-nest capital株式会社
- 配信日時
- 2026年8月7日 14時00分
- 転載日
- 2026年8月8日
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2026年8月7日
i-nest capital株式会社
i-nest capital株式会社（読み：アイ・ネスト・キャピタル、本社：東京都目黒区、代表：山中 卓、以下i-nest capital）は2026年7⽉、同社2号ファンドである「i-nest2号投資事業有限責任組合」を通じ、TopoLogic株式会社（本社：東京都文京区本郷七丁目3番1号、代表取締役：佐藤 太紀、以下「TopoLogic」）への投資を実行いたしました。
■ TopoLogicは、量子力学に基づく新素材「トポロジカル物質」の社会実装を目指す、東京大学発のディープテックスタートアップ
「トポロジカル物質」は、従来物質とはまったく異なる電子バンド構造を持ち、既存の絶縁体・導体・半導体には見られない物理特性を持つ新材料です。TopoLogicは、この特性を活かし、以下の2つのコア技術・プロダクトの開発を推進しております。
- 超低消費電力コンピューティングメモリ技術「TL-RAM」
トポロジカル反強磁性体物質が持つ高速スピン反転特性を応用し、次世代のメモリ微細化・低消費電力化を実現します。 - 超高速熱センシング技術「TL-SENSING」
トポロジカル物質が持つ「異常ネルンスト効果※」を応用し、既存センサを圧倒する薄さと応答速度の熱センサを実現します。（※異常ネルンスト効果：磁性体に温度差を与えた際、温度差と磁化の方向に対して垂直な方向に電圧が生じる現象）
■ 超低消費電力コンピューティングメモリ技術「TL-RAM」の開発
昨今、半導体及びメモリ市場は、AI需要に牽引され爆発的な成長を継続しています。AIの膨大な計算量に追随するためには、より多くのキャッシュメモリをCPU内に搭載する必要があり、そのためにはキャッシュメモリの微細化が不可欠となっております。しかし、長くキャッシュメモリの基礎技術として活用されているSRAMは、その構造上、物理的にこれ以上の微細化が難しいとされております。このような課題に対し、TopoLogicは、新材料であるトポロジカル物質を用いた独自のMRAM（磁気メモリ）を開発することで、キャッシュメモリの微細化という難題に取り組んでいます。
■ 超高速熱センシング技術「TL-SENSING」の開発
「TL-SENSING」は既存センサの100倍の応答速度を持ちながらも低コストで製造可能であることから、EVバッテリーの発火予兆検知やパワー半導体の熱異常検知等、対象とするアプリケーションは多岐にわたります。中でも、EVバッテリー向け製品については、事業会社との協業により開発が順調に進捗しております。既に実証試験において、既存センサに比べ数十秒早く発熱を検知することに成功しており、グローバルでPHV含む電動車の新車販売台数が増加傾向にある中で、本技術の早期の社会実装が期待されます。
■ i-nest capitalは豊富なノウハウ＆ネットワークで成長を支援
今回の資金調達により、TopoLogicは「TL-RAM」及び「TL-SENSING」の開発をさらに加速させます。同社技術の社会実装に向けては、ファウンドリや研究機関等との連携が不可欠です。次世代を切り拓く同社の取り組みには大変期待しております。
i-nest capitalは今回の資金提供に加え、豊富な支援実績及び広範なネットワークを活かして、TopoLogicの成長を引き続きサポートしてまいります。
■ TopoLogic株式会社
Webサイト： https://www.topologic.jp/
連絡先 ： info@topologic.jp
設立 ：2021年7月
代表者 ：代表取締役CEO 佐藤 太紀（さとう たいき）
■ i-nest capital株式会社（アイ・ネスト・キャピタル）
Webサイト ：https://www.i-nestcapital.com
連絡先 ：info@i-nestcapital.com
設立 ：2019年5月
代表者 ：代表ジェネラルパートナー 山中 卓（やまなか たかし）
以下はtrends編集部による情報です。
