10月14日(水)「MLCC(積層セラミックコンデンサ)に求められる高容量・低ESL化と材料・電極・信頼性設計　～AIサーバー・EVへの要求特性と誘電体・電極から絶縁劣化メカニズム～」Zoomセミナー

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発表元

株式会社ＡｎｄＴｅｃｈ

原文

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配信日時

2026年8月28日 18時06分

転載日

2026年8月29日

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【防衛大学校　名誉教授：山本　孝　氏】に、ご講演をいただきます。

　株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山　正夫、以下 AndTech）は、

「MLCC（積層セラミックコンデンサ）」の「材料・電極・信頼性設計」について解説します。

　― AIサーバー時代のMLCCに何が求められるのか。大容量・低ESL・高信頼性を支える技術 ―

　AIサーバーやEVの普及に伴い、MLCCには大容量化・低ESL化、DCバイアス特性や高い信頼性が求められています。

　本講座では、これらの要求特性を起点として、BaTiO₃誘電体の材料設計とNi内部電極・外部電極の形成技術について解説します。

Live配信・WEBセミナー講習会　概要

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テーマ：MLCC(積層セラミックコンデンサ)に求められる高容量・低ESL化と材料・電極・信頼性設計

～AIサーバー・EVへの要求特性と誘電体材料・Ni内部電極・外部電極から絶縁劣化メカニズムまで～

開催日時：2026年10月14日（水）10:30～16:30

録画視聴：対象

参加費：55,000円（税込） ※ 電子にて資料配布予定

URL：https://andtech.co.jp/seminars/1f199f8f-8e65-6734-891e-064fb9a95405

WEB配信形式：

　WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。

　詳細は、お申し込み後お伝えいたします。

セミナー講習会内容構成

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防衛大学校　名誉教授：山本　孝　氏

【専門】

電子材料 通信材料 高周波材料 電波吸収体 電波シールド 強誘電体 圧電体

本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題

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　①積層コンデンサ (MLCC) 材料の基礎から応用まで

　②MLCCの高積層・高容量の技術

　③MLCCの内部電極・外部電極の全て

下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）

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【講演のポイント】

MLCCの高積層化技術と、それに伴って生じるトラブル、解決方法を歴史から始まって最新情報まで解説する。

【プログラム】

1. AIデータセンター・6G・EV車用　積層セラミックコンデンサ(MLCC)の必要な特性

　1.1　移動通信システムの進化

　1.2　自動運転のレベル分け，AIとの結合

　1.3　画像再生AI，音声・動画再生AI，Physical AI

　1.4　MLCCの温度特性：車載用/生成AIには

　1.5　Samsungの高容量MLCCの紹介，AIサーバー用 GPU モジュール高容量 MLCCの紹介

　1.6　PDN設計-AIサーバーの電力供給5階層

　1.7　AIサーバーで問題となるMLCC特性，DCバイアス特性，電極構造の改善

　1.8　コンデンサのDCバイアス特性　MLCC（COG，X5R,Y5V）シリコンキャパチシター

　1.9　低ESL電極の試み(GMR, LLL,LLA, LLM)，3端子MLCC, 通常，逆構造，3端子MLCCの相違

　1.10 AIサーバの電力事情，マートホンに搭載される電子部品の個数MLCCの自動車搭載個数, MLCCの世界ランキング

　1.11 何故AIサーバで大量のMLCCが必要か，ALサーバー/データセンター用途におけるMLCCの信頼性と環境条件

　1.12 EMC対策の4手法　EMC対策の4手法　スマートフォンにおける自家中毒というノイズ問題。

　1.13 自動車用の電子機器住み分け，車載用セラミックコンデンサ種類

　1.14 MLCCのサイズの変遷(民生用)　民生用と車載用/生成人工知能（ＡＩ）MLCCのサイズ比較

　1.15 MLCCの温度特性:車載用/生成AIには

　1.16 AIサーバー時代におけるMLCCの新規格　X7R-X7S-X7T

　1.17 Class 1 vs Class 2 MLCCの温度特性/DC特性/温度上昇

　1.18 スマートホンに搭載される電子部品の個数　MLCCの自動車搭載個数　AIサーバーに搭載されるMLCCの数

　1.19 MLCCs世界ランキング　AIサーバー用MLCCの場合は

　1.20 中国に見るセラミックス産業の未来

　1.21 コンデンサなのにLCR～ 等価回路で考える ～

　1.22 L キャンセルトランスの登場 コンデンサのESLを減じてコンデンサの個数を減らす

2. 積層セラミックコンデンサ(MLCC)の材料・作製法・小型・大容量化

　2.1　積層セラミックスコンデンサの構造

　2.2　材料から見たBaTiO3+希土類+アクセプタ+固溶制御材

　2.3　信頼性向上/希土類添加BaTiO3系誘電体の開発

　2.4　重希土類を使わないMLCCの開発，Y2O3(重希土) からLa2O3(軽希土)へ

　2.5　MLCCの小型化、容量密度の進化、誘電体層薄層化の進化

　2.6　積層セラミックスコンデンサの進展方向

　2.7　大容量MLCCの(100μF）の実現 誘電体層・電極厚みの変遷

　2.8　Ni-MLCCの製造プロセス、グリーンシートの技術動向

　2.9　高信頼性MLCCに必要なこと、コア・シェル構造の重要性

　2.10 コア・シェル構造とプロセスの関係　コア・シェルの構造制御　

　2.11 薄膜用MLCCのBaTiO3に求められる特性（水熱合成法）

　2.12 固相法によるBaTiO3の微細化, 粉砕技術，ビーズミル (解粒)，分散，分級　

　2.13 低温劣化性耐性と超高靭性を有すCa添加ジルコニアセラミックス YSZ(イットリア添加ジルコニア)を超えることができる

　2.14 静電吸着・静電集積　造粒焼結法

　2.15 水蒸気固相反応法、BaTiO3の低温反応、水で加速する室温固相反応 (BaTiO3)，Cold Sintering

　2.16 新しい微粒子作製と特徴(コーテイング)　ケイ素酸化物(SiO2)コートα-Fe2O3   ケイ素酸化物(SiO2)コートAg 

3. MLCCの内部電極・外部電極

　3.1　積層デバイスに用いられる電極，Ni内部電極 

　3.2　Ni内部電極向上のために，

　3.3　高積層・高容量MLCCのためのNi内部電極用Ni微粒子、供材

　3.4　２段焼成法のNi内部電極の効果,カバーレッジの向上

　3.5　Ni内部電極の成形メカニズム (膜断面の観察), Ni内部電極の連続性 (カバーレッジ) 向上のメカニズム

　3.6　Ni電極向上のために (Ni微粒子径、粒度分布、供材添加), Ni微粒子への添加効果 (Ni-Cr, Ni-Sn)

　3.7　MLCC内部電極のプラズマ法によるNi微粒子作製

　3.8　Ni内部電極の連続性の向上

　3.9　MLCCの内部電極/低焼成収縮率 (Delaying Low Temperature Shrinkage)

　3.10 Ni電極の酸化/Ni層とBaTiO3層の界面輸送

　3.11 Al添加，Zr添加，Ni電極の低焼成収縮率

　3.12 Sn添加Ni MLCCの信頼性向上

　3.13 In添加Ni MLCC　の信頼性向上

　3.14 MTTFによるNi MLCCとIn MLCCの信頼性の違い

　3.15 MLCCの内部電極の変遷　

　3.16 MLCC外部電極, Cu/Ni/Sn. Cu/Resin/Ni/Sn, Cu/Ni/Sn

　3.17 MLCCのCu外部電極用ガラス

4. 積層セラミックコンデンサ(MLCC)の高信頼性

　4.1　BaTiO3の絶縁性 絶縁劣化メカニズム

　4.2　MLCCの信頼性評価

　4.3　故障とは

　4.4　積層セラミックコンデンサの耐用年数（寿命）

　4.5　MLCCの電気的特性評価（HALT)

　4.6　温度がMLCCの絶縁破壊に及ぼす影響，まず実験値

　4.7　ワイブル分布解析

　4.8　MLCCの寿命に対する複合応力(V,T)の影響の解析へのアレニウスモデルの適用

　4.9　TTF-故障までの時間 ワイブル分布表示

5. 付録 積層セラミックコンデンサ(MLCC)の高信頼性の続き

　5.1　導電体の導電メカニズム

　5.2　リーク電流―時間依存性

　5.3　ショットキー電流とプールフランケル電流

　5.4　Cu-MLCCとNi-MLCCのリーク電流特性の違い

　5.5　劣化時の電流の変化について

　5.6　熱刺激電流/酸素欠陥の評価法

　5.7　交流インピーダンス・等価回路法による評価

　5.8　圧電応答顕微鏡による表面電位測定(KFM)

　5.9　MLCC素子断面のKFM評価(抵抗値の可視化，電位分布，酸素欠陥の移動)

　5.10 高信頼性MLCCの材料設計に向けて（電極界面，粒内，粒界）

株式会社AndTechについて

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弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。

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株式会社AndTech　広報PR担当 青木

メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）

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以　上