STマイクロエレクトロニクス、先進的な絶縁技術によりパワー設計を簡略化する新しいガルバニック絶縁ゲート・ドライバを発表

公開：2026年8月5日更新：2026年8月6日

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この記事はプレスリリースです

本記事は、PR TIMESに掲載された企業・団体等のプレスリリースを原文のまま転載しています。記事内容は発表時点の情報です。

発表元: STマイクロエレクトロニクス
原文: PR TIMESで元のプレスリリースを読む
配信日時: 2026年8月5日 17時00分
転載日: 2026年8月6日

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転載

プレスリリース本文

アクティブ･ミラー･クランプを内蔵した新しい3Aドライバにより、充電ステーションやエネルギー貯蔵システム、誘導加熱装置、駆動装置およびオートメーション機器の高効率化に貢献

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、強化されたガルバニック絶縁により信頼性を高めた「STGAP3S」ゲート･ドライバ･ファミリを拡充し、より低い駆動電流が求められる回路向けに、高効率かつ低コストの3A（アンペア）シリーズを発表しました。同ファミリには、SiC（炭化ケイ素）MOSFET向けに最適化された「STGAP3S3S」と、IGBT向けの「STGAP3S3IF」が含まれます。

STGAP3Sファミリのすべてのドライバは、力率補正（PFC）回路や電源ユニット、DC/DCコンバータ、インバータにおいて、最大1200Vの高電圧レールで動作します。UL 1577やIEC 60747-17などの国際的な安全・絶縁認証により、優れた絶縁性能、安全な動作、そして高電圧環境下での長期にわたる高い信頼性が確認されています。主な用途には、充電ステーションやエネルギー貯蔵システム（ESS）、太陽光発電用インバータ、フォークリフトなどの産業用電気自動車、誘導加熱装置、汎用ドライブ、ポンプ、ファンなどの機器があります。

STの最先端技術によって強化されたガルバニック絶縁は、最大9.6kVの過渡電圧からパワー段回路を保護し、最大200V/nsのコモン･モード過渡耐性（CMTI）を確保します。STGAP3Sファミリは、最大シンク / ソース電流がそれぞれ10A、6A、そして新たに3Aの3つのシリーズで構成され、各シリーズにIGBT向けとSiC MOSFET向けに最適化された品種が用意されています。

最大駆動電流3Aの新しい「STGAP3S3」シリーズは、クランプ用MOSFETを含むアクティブ･ミラー･クランプ回路全体を内蔵しており、パワー･スイッチの意図しないターンオンを防止することで、貫通電流の発生を回避します。また、クランプ用MOSFETの集積により、基板面積の削減や回路設計の簡略化、部品点数の削減を実現するとともに、最大3Aのゲート駆動に適したクランプ性能を提供します。6Aの「STGAP3S6」シリーズおよび10Aの「STGAP3SX」シリーズは、外付けMOSFET用のプリドライバを集積しており、より高いゲート駆動電流を必要とするシステムにおいて、クランプ速度を柔軟に最適化できます。

すべてのSTGAP3Sドライバは、ソフト・ターンオフ機能付きの非飽和（DESAT）検出機能を備えています。これにより、電圧および電流の遷移を制御し、過負荷や短絡などの危険な状態からパワー･スイッチを保護します。6Aおよび10Aのドライバと新しいSiC MOSFET向けの3Aドライバでは、外付け抵抗を接続することでソフト･ターンオフ速度を最適化できます。

すべてのシリーズが、非飽和（DESAT）保護と低電圧ロックアウト（UVLO）、サーマル･シャットダウンの作動状態を示す診断ピンを備えています。また、負のゲート電圧の印加に対応しているため、意図しないターンオンをより確実に防止するとともに、異常時のターンオフ動作においてデバイスを保護します。さらに、通常のターンオフ遷移時には、リンギングのない堅牢なスイッチングを実現します。

最新の3Aシリーズを含む全STGAP3Sドライバ向けに、評価ボードが提供されています。3Aシリーズ向けの「EVLSTGAP3S3S」および「EVLSTGAP3S3IF」は、保護機能があらかじめ設定されたハーフブリッジ評価ボードで、開発を支援するテスト･ポイントおよび診断用LEDを備えています。

IGBTおよびSiC MOSFET駆動向けのSTGAP3Sファミリ（STGAP3S3、STGAP3S6、およびSTGAP3SXの各シリーズ）は、すべて現在量産中です。各製品はSO16Wワイドボディ･パッケージで提供され、単価は1,000個購入時に約1.93ドルです。

詳細については、ウェブサイトをご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて

STは、約49,000名の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な総合半導体メーカーです。約20万社を超えるお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、クラウド接続型自律デバイスの普及を可能にします。STは、すべての直接・間接排出（スコープ1および2）、ならびに製品輸送、従業員の出張･通勤による排出（スコープ3の注力分野）におけるカーボンニュートラル達成に向けた取り組みを進めており、2027年末までに再生可能エネルギーの使用率を100％にする計画です。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（http://www.st.com）をご覧ください。

◆ お客様お問い合わせ先

STマイクロエレクトロニクス（株）

アナログ･MEMS･センサ製品グループ

〒108-6017 東京都港区港南2-15-1

品川インターシティA棟

TEL : 03-5783-8250

プレスリリース転載ここまで

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