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サンディスク、『FMS 2026』でAI推論時代に向けたNANDイノベーションを公開

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この記事はプレスリリースです

本記事は、PR TIMESに掲載された企業・団体等のプレスリリースを原文のまま転載しています。記事内容は発表時点の情報です。

発表元
サンディスク
配信日時
2026年8月5日 11時00分
転載日
2026年8月6日

発表内容については発表元へ、当サイト上の訂正・削除については、当サイトのお問い合わせフォームにご連絡ください。

転載
プレスリリース本文

Santa Clara Convention Centerで開催:ブース607番

米国カリフォルニア州サンタクララ発 - 2026年8月4日

サンディスクは、NANDイノベーションがAIインフラの次なる進化をどのように支えているのかを『Future of Memory and Storage 2026 (FMS 26)』で紹介します。大規模化するAIモデル、より長いコンテキストウィンドウ、そしてエージェント型アプリケーションの普及により、容量、帯域幅、電力効率への需要がかつてない水準に達しています。こうした中、メモリーおよびストレージはAIの性能向上と大規模展開を実現する上でますます重要な役割を担っています。サンディスクは、データセンター、クラウド環境、AI主導のワークロードの進化するニーズに対応する先進的なNANDテクノロジーによって、お客様によるAI推論の大規模展開を支援しています。

サンディスクのCPO(最高製品責任者)、クラム・イスマイル(Khurram Ismail)は、次のように述べています。

「AIインフラは新たな段階に入り、データの格納、移動、アクセスを効率的に行う能力が、処理能力そのものと同じくらい重要性を持つようになっています。AI推論のワークロードが高まる中、お客様は複雑さを増すことなく理想的なパフォーマンス、容量、電力効率をもたらすメモリーとストレージテクノロジーを必要としています。数十年にわたりフラッシュメモリーのイノベーションを実現してきた実績を基盤に、サンディスクは次世代NAND、またHBF™といった先進技術の開発を推進することで、業界全体の発展に貢献していきます」

サンディスクのテクノロジーイノベーションは、高速データレイク、モデルストレージ、検索拡張生成(RAG)、KVキャッシュワークロードなどのAIワークロードに重点を置いています。『FMS 2026』において、サンディスクはHBF™テクノロジー、次世代NAND、エンタープライズSSDテクノロジーが、AI推論に求められる容量、パフォーマンス、電力効率の課題にどのように対応するかを紹介します。『FMS 2026』のハイライトは以下のとおりです。

  • BiCS10 QLC NAND:AI、クラウド、データセンターストレージ向けに記憶密度、パフォーマンス、電力効率の向上を実現できるように設計・構築された、次世代3D NANDテクノロジーです。
  • AIデータサイクルフレームワーク:生データアーカイブおよび高速データレイクからトレーニング、推論、生成コンテンツリポジトリに至るまで、AIのライフサイクル全体にわたりストレージ要件をマッピングするためのサンディスク独自のフレームワークのアップデート版です。
  • HBF™テクノロジー: HBF™(高帯域幅フラッシュ)は、大規模環境におけるAI推論の進化するニーズへ対応できるように設計・構築された、新しいNANDベースのメモリーテクノロジーです。
  • エンタープライズSSD:KVキャッシュワークロード、将来のPCIe® Gen 6テクノロジー、またDRAMを減らすことで実現される超大容量E3.Sデザインのための、高耐久性構成のSSDです。

『FMS 2026』において、サンディスクは基調講演「NAND: The Versatile & Scalable Foundation of the AI Era(NAND: AI時代の柔軟で拡張性に優れた基盤)」を行い、高コンテキストモデルとエージェント型ワークフローによってメモリーおよびストレージ階層がどのように変化しているのかを検証します。AIインフラのボトルネックがコンピューティング能力にとどまることなく、メモリー容量や帯域幅、電力効率、トークンエコノミクスにまで広がる中、この基調講演では、大規模なAI推論を実現するうえでシステムレベルの最適化とNANDが果たす重要性を深掘りします。本基調講演は8月5日(水)午前11時40分(太平洋標準時)より、Santa Clara Convention CenterのMission City Ballroomで行われ、サンディスクCRO(最高収益責任者)のジム・エリオット(Jim Elliott)、CPO(最高製品責任者)のクラム・イスマイル(Khurram Ismail)、CTO(最高技術責任者)のアルパー・イルクバハール(Alper Ilkbahar)が登壇の予定です。

他にも、サンディスクはGoogle社およびSK hynix社とのパネルディスカッション「Breaking the Memory Wall with High Bandwidth Flash(高帯域幅フラッシュでメモリーの壁を打ち破る)」にも参加する予定です。このパネルディスカッションでは、HBF™テクノロジー、コンセプト、エコシステムの発展、また新しいメモリーアプローチを実際のAIインフラで実現するために必要なことについてのディスカッションを行います。本パネルディスカッションは8月6日(木)午前9時45分(太平洋標準時)より、Santa Clara Convention CenterのBallroom Dで行われます。

サンディスクのブース(ブース607番)では、HBF™、BiCS10 NAND、エンタープライズSSD、車載ストレージ、クライアントSSD、コンシューマー製品など、サンディスクの最新製品および技術デモをご覧いただけます。サンディスクに関するその他の詳細は、ウェブサイトhttps://www.sandisk.com/をご覧ください。

■サンディスクについて

サンディスク(Nasdaq: SNDK)は、革新的なフラッシュソリューションと高度なメモリー技術を提供し、願望やシーンが交差する瞬間に立ち会い、人々やビジネスが前進し続け、可能性を押し広げる一翼を担います。InstagramFacebookXLinkedInYouTubeでサンディスクをフォロー、およびInstagramでTeamSandiskに参加してください。

SandiskおよびSandiskのロゴは、米国およびその他の国におけるSandisk Corporationまたはその関連会社の登録商標または商標です。AndroidはGoogle LLCの商標です。Apple、iPad、iPadOS、iPad Pro、iPhone、Lightning、Mac、MacBook、MacBook Pro、macOS、およびMade for iPhoneは、Apple Inc.の商標です。Made for Appleバッジの使用は、アクセサリがバッジに示されたApple製品に特化して接続するように設計され、開発者によってAppleの性能基準を満たしていることが認定されていることを意味します。Appleは、このデバイスの動作または安全性および規制基準への準拠について責任を負いません。iOSは、米国およびその他の国におけるCiscoの商標または登録商標であり、Apple Inc.によるライセンスに基づいて使用されています。USB-CおよびUSB Type-Cは、USB Implementers Forumの登録商標です。Windowsは、Microsoftグループ企業の商標です。その他のすべての商標は、各所有者に帰属します。

©2026 Sandisk Corporation or its affiliates. All rights reserved.

プレスリリース転載ここまで

以下はtrends編集部による情報です。

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